日刊工業新聞にこんな記事がありました。
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「日立、SiCパワー半導体搭載の鉄道車両用インバータを15年度に商用化」
日刊工業新聞 2013年11月5日
日立製作所は鉄道車両向けの省エネ型インバーター（電力変換装置）を２０１５年度に商用化する。次世代材料として注目されるＳｉＣ（炭化ケイ素）を使ったパワー半導体を搭載。既存品に比べ電力損失が３割超低減できるという。すでに鉄道事業者などへの納入が内定している。日立は自社で車両を手掛けており、基幹部品とのシナジーで鉄道事業の拡大を狙う。
パワー半導体はダイオードにシリコン、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）にＳｉＣを使った「ハイブリッド型」。インバーターは直流１５００ボルトの架線対応で容積と質量も約４割小型化できる。
現在、実用化に向け電気品とデバイスのすり合わせを進めている。ＳｉＣパワー半導体は子会社の日立パワーデバイスが開発した。量産投資が必要なチップについては外部委託も検討しており、内製するか来年初めに結論を出す予定。
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SiCやGaNなど、ワイドバンドギャップのパワー半導体デバイスのコストが下がってきています。
これらを使用すればSiデバイスを使った場合に比べて、いろんな方面で非常に効率が良くなると期待されています。